通过EPR技术来检测bare-Ti0:和2-98R/Ti0、二氯丙烷厂家催化剂的表面或者体相中的缺陷结构，由不同EPR信号得出不同的g值来反映物质中不同类型的缺陷位点。从图5.9可以看出，5种二氯丙烷厂家催化剂均表现出EPR信号。在g值为2.001-2.005处的EPR信号峰，表明结合一个电子的氧空穴。在引入掺杂铜系离子后，由峰的强相对度可以看出氧空位(OVs)的EPR信号峰得到增强。特别是Ti3+的信号得到增强，前者的g=2.01是表面区域的Ti3+信号，后者g=1.94-1.99是体相中Ti3+物种。形成T13+缺陷位点是由于部分氧空穴中的电子因为电荷效应而转移到T14+上来实现电荷平衡。体相内的T13+在PDH反应不是作为的活性位点，而是作为钦缺陷在反应中促进氧的迁移。表面氧空穴周围的配位不饱和Ti4+是PDH反应的主要活性位点，因此铜系离子掺杂的二氧化钦在PDH反应中表现出更优异的催化性育旨。
  利用XPS表征技术进一步研究bare-Ti0:和2-98R/Ti0、二氯丙烷厂家催化剂表面OVs的形成以及氧空位缺陷的相对强度受掺杂铜系离子种类的影响。在Ti 2p谱图中，bare-Ti0:和2-98R/TiOx (R=La, Sm, Dy, Yb)的Ti 2pli:和Ti 2p3i:特征峰分别位于464.5 eV和458.6 eV左右。与bare-Ti0:相比，掺杂后的特征峰位置向低结合能方向移动，而且电子结合能从大到小的顺序为2-98La/TiOX. 2-98Sm/TiOX,2-98D到TiOX. 2-98Yb/TiOX。结合能的降低的程度越大说明Ti4+得电子的趋势越强，部分形成了Ti3+，分峰后得到的463.7eV和458.OeV结合能处是Ti3+的特征峰。从表5-2中可以进一步看出bareTi02样品中含有45.77%的Ti3+，并且随着铜系离子掺杂进入二氧化钦, Ti4+倾向于得到电子从而电子云密度上升变成Ti3+在O is谱图S.lOb中，结合能从低到高有529.8 eV和531.4 eV两个特征峰，分别是Ti-O-Ti键和Ti-OH键。表5-2二氯丙烷厂家催化剂在掺杂之后，表面氧含量从75%减少到71%，表明有效核电荷数较大的铜系离子进入二氧化钦晶格内部，吸引氧阴离子使得形成更多的氧空位。Ti4+由于电荷平衡而在表面形成更多氧空位周围的位不饱合Ti4+活性位点，有利于提高PDH反应的催化活性。在掺杂离子引入二氧化钦后O is的Ti-O键特征峰向低结合能移动，这可能是Ti-O-R键的形成，或者生成的氧空位导致O is能量的负迁移。www.anhuanchem.com