采用X射线光电子能谱(XPS>分析方法研究NiS/CdS/CDs的化学价态和表面化学组成，所有XPS图谱都经过校正。从图11(a>可以看出，NiS/CdS/CDs中存在NiCdSC元素，这与元素映射图(图8>一致，而O元素可能来自于空气中的氧气。从图11(b>中可以观察到Cd3d的两个特征峰为405.38和412.15eV，对应CdS中Cd一的Cd3d,z和Cd3d,2表明Cd元素以Cd-的形式存在从Ni2p的图谱可以清楚的看到，在853.14和872.23eV处的特征峰对应于NiS中的Ni2ps_z和Ni2pz，而在862.53和878.02eV处的峰是与主峰相应的两个卫星峰叫。图11(d>显示出的结合能分别位于161.82163.06eV处，分别与S2pz和S2pz相匹配，表明存在S-。值得特别注意的是，Cis可以在284.82285.31286.37和288.87eV处解积为4个子峰，分别对应于C-C(sp2)C-CCsp),C()和C=U键(图11(d;zs。其中出现少量的C-O键和C一O键，这可能是二氯乙烷催化剂吸附的空气与乙炔键发生氧化反应所引起的。利用稳态光致发光光谱(PI)分析研究了二氯乙烷催化剂的载流子分离能力。NiS/CdS/CDs与NiS/CdS和原始CdS相比，NiS/CdS/CDs具有最低的PI辐射强度，这表明由于CDs可以从NiS/CdS捕获电子，从而有效地抑制电子一空穴对的复合，进一步提高了NiS/CdS/CDs光催化活性。利用紫外一可见吸收光谱研究NiS/CdS/CDs和NiS/CdS的光学性质。从图12(a>可以看到，NiS/CdS在584nm波段处出现明显的吸收边缘，而随着CDs的引入，NiS/CdS/CDs的吸收边缘有明显的红移，吸收边缘从584nm红移到793nm。NiS/CdS/CDs的光响应能力从而得到明显的提升，从而证实CDs的修饰可以有效地调节NiS/CdS的光响应能力。根据Kubelka-Munk函数计算光二氯乙烷催化剂相应的带隙能量。如图12(b>所示，当NiS/CdS掺杂CDs后，NiS/CdS的带隙从2.02eV降低到1.16eV。而窄带隙有利于收集更多的太阳能，促使NiS/CdS/CDs产生丰富的光生载流子，从而大大提高其光催性能。这与紫外可见吸收光谱结果一致，共同表明NiS/CdS/CDs具有卓越的光催化制氢气性能。http://www.anhuanchem.com